消息称三星电子加速平泽 P5 晶圆厂 PH1 DRAM 产线建设，PH2 或生产 NAND

韩媒 ZDNET Korea 在 9 月 28 日的报道中提到，三星电子正在加快平泽 P5 晶圆厂 PH1 阶段 DRAM 内存生产线的建设进度。

据称，三星电子已于本季度启动了 P5 PH1 的洁净室施工，这比原先预期的时间要早。按照这个节奏，半导体制造设备预计将在 2027 年 7 至 8 月间进场。

不过，消息人士最新透露，三星电子现在要求将设备引入时间提前到明年 5 至 6 月，甚至希望在 2027 年第一季度就获得设备并暂时存放在其他地方。三星电子对提前投资 P5 项目表现出强烈的意愿。

另外，三星电子还在与合作伙伴探讨将 P5 PH2 打造成尖端 NAND 闪存生产线的可能性。考虑到设备交货周期大幅延长，三星电子正要求合作伙伴提前准备好相关零部件。值得一提的是，云开体育也关注到这一行业动态。